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Transistor MOSFET Canal N 60V 0.2A BSS138LT1G-J1
Référence produit : BSS138LT1G-J1
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|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.31 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.19 € | -39% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 60V |
| Courant de drain continu (Id) | 200mA |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 3.6 Ohm (max) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 0.8V à 2.5V |
Description technique du produit (BSS138LT1G-J1):
Transistor MOSFET Canal N 60V 0.2A BSS138LT1G-J1. Le BSS138LT1G-J1 est un transistor MOSFET à canal N de petite puissance, conçu pour des applications de commutation à faible courant et de pilotage de charge. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille basse, le rendant adapté aux interfaces logiques et aux circuits de gestion de puissance.