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Diodes Inc.

Transistor MOSFET Canal N 60V 0.2A BSS138-7-F

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Référence produit : BSS138-7-F
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source60V
Courant de drain continu200mA
Résistance à l'état passant (max)3.5 Ohm
Tension de seuil de grille0.8V - 2.5V
Charge de grille (typ)0.5 nC

Description technique du produit (BSS138-7-F):

Transistor MOSFET Canal N 60V 0.2A BSS138-7-F. Transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation à faible puissance.

. Vendu par lot de 10 (le prix affiché est pour un lot de 10)