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Transistor MOSFET Canal N 60V 0.2A BSN20-215

Référence produit : BSN20-215
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension drain-source60V
Courant de drain0.2A
Résistance à l'état passant5 Ohm
Tension de seuil1V à 2.5V

Description technique du produit (BSN20-215):

Transistor MOSFET Canal N 60V 0.2A BSN20-215. Transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation et d'amplification de faible puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille adaptée aux circuits logiques.