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Philips Semiconductors
Transistor MOSFET Canal N 60V 0.2A BSN20
Référence produit : BSN20
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.01 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 60V |
| Courant de drain continu (Id) | 0.2A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 5 Ohm (max) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1V à 2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 1.5 nC (typ) |
Description technique du produit (BSN20):
Transistor MOSFET Canal N 60V 0.2A BSN20. Le BSN20 est un transistor MOSFET à canal N de petite puissance, conçu pour des applications de commutation rapide et de faible consommation. Il est encapsulé dans un boîtier SOT-23, idéal pour les circuits compacts.