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Nxp Semiconductors
Transistor MOSFET Canal N 60V 0.15A BST82
Référence produit : BST82
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 199 | 0.24 € | — |
| 200+Meilleur prix | 0.22 € | -8% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension drain-source | 60V |
| Courant de drain | 150mA |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 5 Ohm (max) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1V à 2.5V |
Description technique du produit (BST82):
Transistor MOSFET Canal N 60V 0.15A BST82. Le BST82 est un transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation et d'amplification de faible puissance. Il est encapsulé dans un boîtier SOT-23 compact, idéal pour les circuits où l'espace est limité.