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Vishay (siliconix)

Transistor MOSFET Canal N 60V 0.115A 2N7002T1-E3

Référence produit : 2N7002T1-E3
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source60V
Courant de drain continu115mA
Résistance à l'état passant5 Ohm
Tension de seuil de grille2.1V
Charge de grille1.8 nC

Description technique du produit (2N7002T1-E3):

Transistor MOSFET Canal N 60V 0.115A 2N7002T1-E3. Transistor MOSFET à canal N de petite puissance, conçu pour des applications de commutation et d'amplification à faible courant.