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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 60V 0.115A 2N7002KCT
Vendu par lot de 100 (le prix affiché est pour un lot de 100)
Référence produit : 2N7002KCT
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2 | 7.97 € | — |
| 3 – 4 | 7.02 € | -12% |
| 5 – 9 | 6.22 € | -22% |
| 10 – 29 | 5.60 € | -30% |
| 30 – 79 | 5.36 € | -33% |
| 80+Meilleur prix | 5.35 € | -33% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 60V |
| Courant de drain continu | 115mA |
| Résistance à l'état passant | 7.5 Ohm (max) à Vgs=5V |
| Tension de seuil de grille | 1V à 2.5V |
| Charge de grille | 1.8nC (typ) |
Description technique du produit (2N7002KCT):
Transistor MOSFET Canal N 60V 0.115A 2N7002KCT. Le 2N7002KCT est un transistor MOSFET de puissance à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation rapide à faible courant. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille basse, le rendant idéal pour les interfaces logiques et les applications de gestion de puissance.
. Vendu par lot de 100 (le prix affiché est pour un lot de 100)