En stock
Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 60V 0.115A 2N7002DW
Vendu par lot de 100 (le prix affiché est pour un lot de 100)
Référence produit : 2N7002DW
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2 | 8.84 € | — |
| 3 – 4 | 7.87 € | -11% |
| 5 – 9 | 7.04 € | -20% |
| 10 – 29 | 6.41 € | -27% |
| 30+Meilleur prix | 6.14 € | -31% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 60V |
| Courant de drain continu | 115mA |
| Résistance à l'état passant | 2.5 Ohm (max) à Vgs=4.5V |
| Tension de seuil | 1V à 2.5V |
| Charge de grille | 1.2 nC (typ) |
Description technique du produit (2N7002DW):
Transistor MOSFET Canal N 60V 0.115A 2N7002DW. Le 2N7002DW est un double transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation à faible courant et de commutation générale. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille basse, le rendant adapté aux interfaces logiques.
. Vendu par lot de 100 (le prix affiché est pour un lot de 100)