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Magnachip Semiconductor

Transistor MOSFET Canal N 600V 9A MDF9N60TH

Référence produit : MDF9N60TH
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source600V
Courant de drain9A
Résistance à l'état passant0.73 Ohm
Tension de seuil3V
Charge de grille30 nC

Description technique du produit (MDF9N60TH):

Transistor MOSFET Canal N 600V 9A MDF9N60TH. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute tension.