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Transistor MOSFET Canal N 600V 9.2A IRFB9N60A

Référence produit : IRFB9N60A
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source600V
Courant de drain continu9.2A
Résistance à l'état passant0.65 Ohm
Tension de seuil de grille2.0V à 4.0V
Charge de grille totale30 nC

Description technique du produit (IRFB9N60A):

Transistor MOSFET Canal N 600V 9.2A IRFB9N60A. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation rapide et de haute tension.