En stock
Stmicroelectronics
Transistor MOSFET Canal N 600V 8A STD10NM60N
Référence produit : STD10NM60N
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 2.24 € | — |
| 100+Meilleur prix | 2.11 € | -6% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 600V |
| Courant de drain continu (Id) | 8A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.55 Ohm max |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V à 5V |
| Charge de grille (Qg) | 25 nC typ. |
Description technique du produit (STD10NM60N):
Transistor MOSFET Canal N 600V 8A STD10NM60N. Le STD10NM60N est un MOSFET de puissance N-canal de la série MDmesh™ II Plus, conçu pour les applications de commutation haute performance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille, ce qui le rend idéal pour les alimentations à découpage et les convertisseurs.