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Onsemi (fairchild)
Transistor MOSFET Canal N 600V 8A FQPF8N60C
Référence produit : FQPF8N60C
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 6.31 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 600V |
| Courant de drain continu (Id) | 8A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.85 Ohm (max) à Vgs=10V, Id=4A |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V à 5V |
| Charge de grille (Qg) | 20 nC (typ) |
Description technique du produit (FQPF8N60C):
Transistor MOSFET Canal N 600V 8A FQPF8N60C. Le FQPF8N60C est un transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances efficaces.