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Stmicroelectronics

Transistor MOSFET Canal N 600V 8.5A STP9NB60

Référence produit : STP9NB60
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)600V
Courant de drain (Id)8.5A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.85 Ohm max
Tension de seuil (Vgs(th))2.5V - 4.5V
Charge de grille (Qg)30 nC typ.

Description technique du produit (STP9NB60):

Transistor MOSFET Canal N 600V 8.5A STP9NB60. Le STP9NB60 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation haute tension et haute vitesse. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille, ce qui le rend idéal pour les alimentations à découpage et les convertisseurs.