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Toshiba

Transistor MOSFET Canal N 600V 7A TK7P60W

Référence produit : TK7P60W
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)600 V
Courant de drain continu (Id)7 A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.75 Ω (max)
Tension de seuil (Vgs(th))2.0 - 4.0 V
Charge de grille (Qg)15 nC (typ)

Description technique du produit (TK7P60W):

Transistor MOSFET Canal N 600V 7A TK7P60W. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute tension. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille, ce qui le rend idéal pour les alimentations à découpage et les convertisseurs.