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Transistor MOSFET Canal N 600V 7A SSS7N60A

Référence produit : SSS7N60A
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source600V
Courant de drain7A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.85 Ohm (typ.)
Tension de seuil (Vgs(th))3V (typ.)
Charge de grille (Qg)25 nC (typ.)

Description technique du produit (SSS7N60A):

Transistor MOSFET Canal N 600V 7A SSS7N60A. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute tension.