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IXYS

Transistor MOSFET Canal N 600V 64A IXFK64N60P

Référence produit : IXFK64N60P
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source600V
Courant de drain continu64A
Résistance à l'état passant60 mΩ
Tension de seuil de grille3V à 5V
Charge de grille totale140 nC

Description technique du produit (IXFK64N60P):

Transistor MOSFET Canal N 600V 64A IXFK64N60P. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant élevé. Il offre une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide.