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Transistor MOSFET Canal N 600V 6.6A IRFIBC40G

Référence produit : IRFIBC40G
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)600V
Courant de drain continu (Id)6.6A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.85 Ohm max
Tension de seuil de grille (Vgs(th))2.0V - 4.0V
Charge de grille totale (Qg)25nC typ.

Description technique du produit (IRFIBC40G):

Transistor MOSFET Canal N 600V 6.6A IRFIBC40G. MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute vitesse. Il offre une faible résistance à l'état passant et des performances de commutation rapides.