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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 600V 6.5A IPA60R600E6
Référence produit : IPA60R600E6
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 3.28 € | — |
| 100+Meilleur prix | 3.04 € | -7% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 600V |
| Courant de drain | 6.5A |
| Résistance à l'état passant | 0.6 Ohm |
| Tension de seuil | 3.5V |
| Charge de grille | 12 nC |
Description technique du produit (IPA60R600E6):
Transistor MOSFET Canal N 600V 6.5A IPA60R600E6. MOSFET de puissance Canal N haute tension conçu pour une efficacité et une fiabilité élevées dans les applications de conversion de puissance.