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Infineon Technologies

Transistor MOSFET Canal N 600V 4A SPA04N60C3

Référence produit : SPA04N60C3
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source600V
Courant de drain4A
Résistance à l'état passant0.95 Ohm
Tension de seuil3V
Charge de grille12 nC

Description technique du produit (SPA04N60C3):

Transistor MOSFET Canal N 600V 4A SPA04N60C3. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation haute performance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs de puissance.