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IXYS
Transistor MOSFET Canal N 600V 26A IXFH26N60Q
Référence produit : IXFH26N60Q
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 27.30 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 600V |
| Courant de drain continu (Id) | 26A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.19 Ohm |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | 2.5V - 4.5V |
| Charge de grille totale (Qg) | 70nC |
Description technique du produit (IXFH26N60Q):
Transistor MOSFET Canal N 600V 26A IXFH26N60Q. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée.