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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 600V 20A SD20N60
Référence produit : SD20N60
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 27.22 € | — |
| 100+Meilleur prix | 26.12 € | -4% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 600V |
| Courant de drain | 20A |
| Résistance à l'état passant | 0.25 Ohm (typ.) |
| Tension de seuil | 3V (typ.) |
| Charge de grille | 50nC (typ.) |
Description technique du produit (SD20N60):
Transistor MOSFET Canal N 600V 20A SD20N60. Transistor MOSFET de puissance à canal N. Conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance.