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Toshiba

Transistor MOSFET Canal N 600V 20A 2SK2615

Référence produit : 2SK2615
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source600V
Courant de drain20A
Résistance à l'état passant0.29 Ohm
Tension de seuil de grille2.0V - 4.0V
Charge de grille60 nC

Description technique du produit (2SK2615):

Transistor MOSFET Canal N 600V 20A 2SK2615. Transistor MOSFET à canal N de puissance, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute tension.