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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 600V 20.7A SPP20N60C3
Référence produit : SPP20N60C3
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 6.37 € | — |
| 5 – 9 | 5.00 € | -22% |
| 10 – 19 | 4.78 € | -25% |
| 20 – 49 | 4.62 € | -27% |
| 50+Meilleur prix | 4.45 € | -30% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 600V |
| Courant de drain continu (Id) | 20.7A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.19 Ohm (max) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V (typ) |
| Charge de grille (Qg) | 70 nC (typ) |
Description technique du produit (SPP20N60C3):
Transistor MOSFET Canal N 600V 20.7A SPP20N60C3. Le SPP20N60C3 est un transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation haute performance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs de puissance et les applications de commutation rapide.