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Vishay

Transistor MOSFET Canal N 600V 2.5A IRFBC20

Référence produit : IRFBC20
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)600V
Courant de drain (Id)2.5A
Résistance à l'état passant (Rds(on))2.2 Ohm
Tension de seuil (Vgs(th))2V-4V
Charge de grille (Qg)15nC

Description technique du produit (IRFBC20):

Transistor MOSFET Canal N 600V 2.5A IRFBC20. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation rapide et de gestion de puissance.