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Stmicroelectronics
Transistor MOSFET Canal N 600V 1A STQ1NK60ZR-AP
Référence produit : STQ1NK60ZR-AP
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 199 | 0.90 € | — |
| 200+Meilleur prix | 0.82 € | -9% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 600V |
| Courant de drain (Id) | 1A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 10 Ohm (typ.) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V (typ.) |
| Charge de grille (Qg) | 5 nC (typ.) |
Description technique du produit (STQ1NK60ZR-AP):
Transistor MOSFET Canal N 600V 1A STQ1NK60ZR-AP. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation haute tension et haute vitesse. Il intègre une protection Zener sur la grille.