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ON Semiconductor
Transistor MOSFET Canal N 600V 1A FQT1N60CTF
Référence produit : FQT1N60CTF
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 2.93 € | — |
| 100+Meilleur prix | 2.69 € | -8% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 600V |
| Courant de drain continu (Id) | 1A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 10.5Ω (max) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2.0V - 4.0V |
| Charge de grille (Qg) | 4.5nC (typ) |
Description technique du produit (FQT1N60CTF):
Transistor MOSFET Canal N 600V 1A FQT1N60CTF. Le FQT1N60CTF est un transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille, ce qui le rend idéal pour les alimentations à découpage et les convertisseurs.