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Fairchild

Transistor MOSFET Canal N 600V 19A FQA19N60

Référence produit : FQA19N60
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)600V
Courant de drain continu (Id)19A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.22 Ohm (max) à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))3V - 5V
Charge de grille (Qg)60 nC (typ)

Description technique du produit (FQA19N60):

Transistor MOSFET Canal N 600V 19A FQA19N60. Le FQA19N60 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et de haute puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances efficaces.