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Stmicroelectronics

Transistor MOSFET Canal N 600V 13A STP13NM60N

Référence produit : STP13NM60N
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)600 V
Courant de drain continu (Id)13 A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.38 Ohm max
Tension de seuil (Vgs(th))3.5 V typ.
Charge de grille totale (Qg)35 nC typ.

Description technique du produit (STP13NM60N):

Transistor MOSFET Canal N 600V 13A STP13NM60N. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute tension.