En stock
Stmicroelectronics
Transistor MOSFET Canal N 600V 11A STP11NM60ND
Référence produit : STP11NM60ND
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 3.68 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 600V |
| Courant de drain continu (Id) | 11A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.38 Ohm (max) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V à 5V |
| Charge de grille (Qg) | 30 nC |
Description technique du produit (STP11NM60ND):
Transistor MOSFET Canal N 600V 11A STP11NM60ND. Le STP11NM60ND est un transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications nécessitant une commutation rapide et une faible résistance à l'état passant. Il intègre la technologie de grille de maille MDmesh™ II Plus, offrant une excellente efficacité.