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Stmicroelectronics

Transistor MOSFET Canal N 600V 11A STP11NM60

Référence produit : STP11NM60
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source600V
Courant de drain11A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.45 Ohm (max)
Tension de seuil (Vgs(th))3V - 5V
Charge de grille (Qg)40 nC

Description technique du produit (STP11NM60):

Transistor MOSFET Canal N 600V 11A STP11NM60. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute tension.