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Stmicroelectronics

Transistor MOSFET Canal N 600V 11A STD13NM60N

Référence produit : STD13NM60N
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source600V
Courant de drain11A
Résistance à l'état passant0.33 Ohm
Tension de seuil de grille3V à 4V
Charge de grille typique30nC

Description technique du produit (STD13NM60N):

Transistor MOSFET Canal N 600V 11A STD13NM60N. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute tension.