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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 600V 11A SPP11N60S5
Référence produit : SPP11N60S5
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 5.08 € | — |
| 100+Meilleur prix | 4.70 € | -7% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 600 V |
| Courant de drain | 11 A |
| Résistance à l'état passant | 0.38 Ohm |
| Tension de seuil | 3 V (typ.) |
| Charge de grille | 30 nC (typ.) |
Description technique du produit (SPP11N60S5):
Transistor MOSFET Canal N 600V 11A SPP11N60S5. Transistor MOSFET de puissance à canal N, optimisé pour les applications de commutation haute performance.