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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 600V 11A SPP11N60C3
Référence produit : SPP11N60C3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 4.21 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 600V |
| Courant de drain continu (Id) | 11A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.38 Ohm (max) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V (typ.) |
| Charge de grille (Qg) | 30 nC (typ.) |
Description technique du produit (SPP11N60C3):
Transistor MOSFET Canal N 600V 11A SPP11N60C3. Le SPP11N60C3 est un MOSFET de puissance CoolMOS™ à canal N, conçu pour des applications de commutation haute performance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille, ce qui le rend idéal pour les alimentations à découpage et les convertisseurs.