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Magnachip Semiconductor

Transistor MOSFET Canal N 600V 11A MDF11N60TH

Référence produit : MDF11N60TH
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)600V
Courant de drain continu (Id)11A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.65Ω (max) à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))3V à 5V
Charge de grille (Qg)30nC (typ)

Description technique du produit (MDF11N60TH):

Transistor MOSFET Canal N 600V 11A MDF11N60TH. Le MDF11N60TH est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance.