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Fairchild

Transistor MOSFET Canal N 600V 11A FCP11N60

Référence produit : FCP11N60
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source600V
Courant de drain11A
Résistance à l'état passant Rds(on)0.45 Ohm (max)
Tension de seuil Vgs(th)3V à 5V
Charge de grille Qg30 nC (typ)

Description technique du produit (FCP11N60):

Transistor MOSFET Canal N 600V 11A FCP11N60. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille pour une efficacité améliorée.