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Mitsubishi Electric Semiconductor
Transistor MOSFET Canal N 600V 10A FS10KM-12
Référence produit : FS10KM-12
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 2.47 € | — |
| 50+Meilleur prix | 2.28 € | -8% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 600V |
| Courant de drain (Id) | 10A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.95 Ohm |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2.0-4.0V |
| Charge de grille (Qg) | 25 nC |
Description technique du produit (FS10KM-12):
Transistor MOSFET Canal N 600V 10A FS10KM-12. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance.