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Transistor MOSFET Canal N 600V 10A 2SK1118-PMC

Référence produit : 2SK1118-PMC
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.

Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)600 V
Courant de drain continu (Id)10 A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.85 Ohm
Tension de seuil de grille (Vgs(th))2.0 - 4.0 V
Charge de grille totale (Qg)30 nC

Description technique du produit (2SK1118-PMC):

Transistor MOSFET Canal N 600V 10A 2SK1118-PMC. Ce transistor MOSFET de puissance à canal N est conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et de puissance.