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Transistor MOSFET Canal N 600V 100A APT100GN60LDQ4G
Référence produit : APT100GN60LDQ4G
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 23.57 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 600V |
| Courant de drain continu (Id) | 100A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.030 Ohm |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V à 5V |
| Charge de grille (Qg) | 250 nC |
Description technique du produit (APT100GN60LDQ4G):
Transistor MOSFET Canal N 600V 100A APT100GN60LDQ4G. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance.