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Magnachip Semiconductor

Transistor MOSFET Canal N 500V 9A MDF9N50TH

Référence produit : MDF9N50TH
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)500V
Courant de drain continu (Id)9A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.75Ω (max) à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))2V à 4V
Charge de grille (Qg)30nC (typ)

Description technique du produit (MDF9N50TH):

Transistor MOSFET Canal N 500V 9A MDF9N50TH. Le MDF9N50TH est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de commutation rapide, le rendant idéal pour les convertisseurs de puissance et les alimentations à découpage.