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Transistor MOSFET Canal N 500V 9A AOD9N50

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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)500V
Courant de drain continu (Id)9A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.75 Ohm (max) à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))2V à 4V
Charge de grille (Qg)20nC (typ)

Description technique du produit (AOD9N50):

Transistor MOSFET Canal N 500V 9A AOD9N50. Le AOD9N50 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute performance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour une commutation rapide et efficace.