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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 500V 8A SPD08N50C3
Référence produit : SPD08N50C3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 3.12 € | — |
| 100+Meilleur prix | 2.94 € | -6% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 500V |
| Courant de drain continu (Id) | 8A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.45Ω (max) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V à 5V |
| Charge de grille (Qg) | 20nC |
Description technique du produit (SPD08N50C3):
Transistor MOSFET Canal N 500V 8A SPD08N50C3. Le SPD08N50C3 est un transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs de puissance et les alimentations à découpage.