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Transistor MOSFET Canal N 500V 8A IRF840

Référence produit : IRF840
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)500V
Courant de drain continu (Id)8A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.85 Ohm
Tension de seuil de grille (Vgs(th))2V-4V
Charge de grille totale (Qg)63 nC

Description technique du produit (IRF840):

Transistor MOSFET Canal N 500V 8A IRF840. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.