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IXYS

Transistor MOSFET Canal N 500V 64A IXFK64N50P

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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)500V
Courant de drain continu (Id)64A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.075 Ohm
Charge de grille (Qg)120 nC (typ.)
Tension de seuil (Vgs(th))2.5V - 5.0V

Description technique du produit (IXFK64N50P):

Transistor MOSFET Canal N 500V 64A IXFK64N50P. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance.