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Transistor MOSFET Canal N 500V 31A IRFP31N50L

Référence produit : IRFP31N50L
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension drain-source (Vds)500V
Courant de drain (Id)31A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.13 Ohm
Charge de grille (Qg)100 nC

Description technique du produit (IRFP31N50L):

Transistor MOSFET Canal N 500V 31A IRFP31N50L. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée.