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Renesas Technology

Transistor MOSFET Canal N 500V 20A RJK5020DPK

Référence produit : RJK5020DPK
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)500V
Courant de drain continu (Id)20A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.19 Ohm (max)
Tension de seuil (Vgs(th))2.0V à 4.0V
Charge de grille (Qg)25 nC (typ)

Description technique du produit (RJK5020DPK):

Transistor MOSFET Canal N 500V 20A RJK5020DPK. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance.