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Transistor MOSFET Canal N 500V 20A IRFB20N50K

Référence produit : IRFB20N50K
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source500V
Courant de drain20A
Résistance à l'état passant0.22 Ohm
Tension de seuil3V à 5V
Charge de grille70 nC

Description technique du produit (IRFB20N50K):

Transistor MOSFET Canal N 500V 20A IRFB20N50K. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation rapide et de haute tension.