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Hitachi

Transistor MOSFET Canal N 500V 20A 2SK1296

Référence produit : 2SK1296
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension drain-source (Vds)500V
Courant de drain continu (Id)20A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.25Ω
Tension de seuil (Vgs(th))2.0-4.0V

Description technique du produit (2SK1296):

Transistor MOSFET Canal N 500V 20A 2SK1296. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance.