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Vishay (siliconix)

Transistor MOSFET Canal N 500V 2.5A IRF820PBF

Référence produit : IRF820PBF
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)500V
Courant de drain continu (Id)2.5A
Résistance à l'état passant (Rds(on))3.0 Ohm (max)
Tension de seuil de grille (Vgs(th))2.0V - 4.0V
Charge de grille totale (Qg)12 nC (typ.)

Description technique du produit (IRF820PBF):

Transistor MOSFET Canal N 500V 2.5A IRF820PBF. Le IRF820PBF est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.