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Transistor MOSFET Canal N 500V 18A IRFB18N50K
Référence produit : IRFB18N50K
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 5.02 € | — |
| 100+Meilleur prix | 4.64 € | -8% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 500 V |
| Courant de drain continu (Id) | 18 A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.29 Ohm |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3.0 V - 5.0 V |
| Charge de grille (Qg) | 60 nC |
Description technique du produit (IRFB18N50K):
Transistor MOSFET Canal N 500V 18A IRFB18N50K. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de haute tension.