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Stmicroelectronics
Transistor MOSFET Canal N 500V 12A STB12NM50ND
Référence produit : STB12NM50ND
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 4.92 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 500V |
| Courant de drain (Id) | 12A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.38 Ohm max |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V à 5V |
| Charge de grille (Qg) | 35 nC typ |
Description technique du produit (STB12NM50ND):
Transistor MOSFET Canal N 500V 12A STB12NM50ND. Le STB12NM50ND est un MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation haute performance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour une efficacité accrue.